NDD60N900U1T4G | Rochester Electronics NDD60N900U1T4G | NDD60N900U1T4G Inventory, Best Pricing

NDD60N900U1T4G

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Número de parte	NDD60N900U1T4G
LIXINC Part #	NDD60N900U1T4G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NDD60N900U1T4G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 07 - Jul 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NDD60N900U1T4G Especificaciones

Número de parte:	NDD60N900U1T4G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.7A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	360 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63