NTD3817N-1G | Rochester Electronics NTD3817N-1G | NTD3817N-1G Inventory, Best Pricing

NTD3817N-1G

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	NTD3817N-1G
LIXINC Part #	NTD3817N-1G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTD3817N-1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTD3817N-1G Especificaciones

Número de parte:	NTD3817N-1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	16 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	13.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	10.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	702 pF @ 12 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I-PAK
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA