IMW120R060M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW120R060M1HXKSA1 | IMW120R060M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW120R060M1HXKSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IMW120R060M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW120R060M1HXKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IMW120R060M1HXKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IMW120R060M1HXKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IMW120R060M1HXKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolSiC™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1.2 kV
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	36A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V, 18V
rds en (máx.) @ id, vgs:	78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (máx) @ id:	5.7V @ 5.6mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	31 nC @ 18 V
vgs (máx.):	+23V, -7V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1.06 nF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247-3-41
paquete / caja:	TO-247-3