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NDP6020P

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Número de parte	NDP6020P
LIXINC Part #	NDP6020P
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NDP6020P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NDP6020P Especificaciones

Número de parte:	NDP6020P
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	24A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	50mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	35 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1.59 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-3
paquete / caja:	TO-220-3

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