BSP179H6327XTSA1 | Rochester Electronics BSP179H6327XTSA1 | BSP179H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP179H6327XTSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BSP179H6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP179H6327XTSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSP179H6327XTSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSP179H6327XTSA1 Especificaciones

Número de parte:	BSP179H6327XTSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	SIPMOS®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	400 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	210mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	0V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	18Ohm @ 210mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 94µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.8 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	135 pF @ 25 V
característica fet:	Depletion Mode
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-SOT223-4
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA