PMZB670UPE,315 | Nexperia PMZB670UPE,315 | PMZB670UPE,315 Inventory, Best Pricing

PMZB670UPE,315

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Número de parte	PMZB670UPE,315
LIXINC Part #	PMZB670UPE,315
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PMZB670UPE,315 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 27 - Oct 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PMZB670UPE,315 Especificaciones

Número de parte:	PMZB670UPE,315
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	680mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.8V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	850mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	1.14 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	87 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DFN1006B-3
paquete / caja:	3-XFDFN