FDD6N50FTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD6N50FTM

FDD6N50FTM

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Número de parte	FDD6N50FTM
LIXINC Part #	FDD6N50FTM
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDD6N50FTM Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDD6N50FTM Especificaciones

Número de parte:	FDD6N50FTM
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	UniFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.15Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	19.8 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	960 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D-Pak
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63