BSB044N08NN3GXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSB044N08NN3GXUMA1 | BSB044N08NN3GXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSB044N08NN3GXUMA1

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Número de parte	BSB044N08NN3GXUMA1
LIXINC Part #	BSB044N08NN3GXUMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSB044N08NN3GXUMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSB044N08NN3GXUMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSB044N08NN3GXUMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18A (Ta), 90A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 97µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	73 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5700 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
paquete / caja:	3-WDSON