BSC105N10LSFGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC105N10LSFGATMA1 | BSC105N10LSFGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC105N10LSFGATMA1

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Número de parte	BSC105N10LSFGATMA1
LIXINC Part #	BSC105N10LSFGATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSC105N10LSFGATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSC105N10LSFGATMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSC105N10LSFGATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11.4A (Ta), 90A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.4V @ 110µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3900 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TDSON-8-1
paquete / caja:	8-PowerTDFN

STW75NF30AG	MOSFET N-CH 300V 60A TO247	975 Más sobre el pedido
TSM033NA04LCR RLG	MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN	5700 Más sobre el pedido
SI2301-TP	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23	2743 Más sobre el pedido
IRFP3306PBF	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC	2446 Más sobre el pedido
DMP2066LSN-7	MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3	23377 Más sobre el pedido
STL120N2VH5	MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT	914 Más sobre el pedido
STU3N45K3	MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK	984 Más sobre el pedido
FQA13N80-F109	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1001 Más sobre el pedido
SIHP15N80AE-GE3	MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB	2040 Más sobre el pedido
AOWF125A60	MOSFET N-CH 600V 28A TO262F	1815 Más sobre el pedido
SI8413DB-T1-E1	MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT	3802 Más sobre el pedido
TK14G65W,RQ	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK	3718 Más sobre el pedido
RM180N100T2	MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3	823 Más sobre el pedido