TSM301K12CQ RFG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM301K12CQ RFG | TSM301K12CQ RFG Inventory, Best Pricing

TSM301K12CQ RFG

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Número de parte	TSM301K12CQ RFG
LIXINC Part #	TSM301K12CQ RFG
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TSM301K12CQ RFG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TSM301K12CQ RFG Especificaciones

Número de parte:	TSM301K12CQ RFG
Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.8V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	94mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	500mV @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5.2 pF @ 6 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	6.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-TDFN (2x2)
paquete / caja:	6-VDFN Exposed Pad