IPI80N06S2L11AKSA2

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Número de parte IPI80N06S2L11AKSA2
LIXINC Part # IPI80N06S2L11AKSA2
Fabricante Rochester Electronics
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IPI80N06S2L11AKSA2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPI80N06S2L11AKSA2 Especificaciones

Número de parte:IPI80N06S2L11AKSA2
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paquete:Bulk
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):55 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):-
rds en (máx.) @ id, vgs:11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2V @ 93µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2075 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):158W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO262-3
paquete / caja:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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