RM5N60S4 | Rectron USA RM5N60S4 | RM5N60S4 Inventory, Best Pricing

RM5N60S4

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Número de parte	RM5N60S4
LIXINC Part #	RM5N60S4
Fabricante	Rectron USA
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 60V 5A SOT223-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RM5N60S4 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RM5N60S4 Especificaciones

Número de parte:	RM5N60S4
Marca:	Rectron USA
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rectron USA
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	55mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	450 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223-3
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA