SCTW100N65G2AG | STMicroelectronics SCTW100N65G2AG | SCTW100N65G2AG Inventory, Best Pricing

SCTW100N65G2AG

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	SCTW100N65G2AG
LIXINC Part #	SCTW100N65G2AG
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SCTW100N65G2AG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SCTW100N65G2AG Especificaciones

Número de parte:	SCTW100N65G2AG
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	18V
rds en (máx.) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	162 nC @ 18 V
vgs (máx.):	+22V, -10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3315 pF @ 520 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	420W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	HiP247™
paquete / caja:	TO-247-3