PMV30XPAR | Nexperia PMV30XPAR | PMV30XPAR Inventory, Best Pricing

PMV30XPAR

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	PMV30XPAR
LIXINC Part #	PMV30XPAR
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PMV30XPAR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PMV30XPAR Especificaciones

Número de parte:	PMV30XPAR
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.9A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 8V
rds en (máx.) @ id, vgs:	33mOhm @ 4.9A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	1.3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	16 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1039 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-236AB
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3