IPA60R280P7SXKSA1

IPA60R280P7SXKSA1
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Número de parte IPA60R280P7SXKSA1
LIXINC Part # IPA60R280P7SXKSA1
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IPA60R280P7SXKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPA60R280P7SXKSA1 Especificaciones

Número de parte:IPA60R280P7SXKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™ P7
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:12A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:280mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 190µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:18 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:761 pF @ 400 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO220 Full Pack
paquete / caja:TO-220-3 Full Pack

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