AONV210A60 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AONV210A60

AONV210A60

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Número de parte	AONV210A60
LIXINC Part #	AONV210A60
Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AONV210A60 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AONV210A60 Especificaciones

Número de parte:	AONV210A60
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	aMOS5™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.1A (Ta), 20A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	210mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1935 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	8.3W (Ta), 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	4-DFN-EP (8x8)
paquete / caja:	4-PowerTSFN