RM18P100HDE | Rectron USA RM18P100HDE | RM18P100HDE Inventory, Best Pricing

RM18P100HDE

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	RM18P100HDE
LIXINC Part #	RM18P100HDE
Fabricante	Rectron USA
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 100V 18A TO263-2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RM18P100HDE Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RM18P100HDE Especificaciones

Número de parte:	RM18P100HDE
Marca:	Rectron USA
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rectron USA
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	100mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1300 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263-2
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB