BTS115ANKSA1 | Rochester Electronics BTS115ANKSA1 | BTS115ANKSA1 Inventory, Best Pricing

BTS115ANKSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BTS115ANKSA1
LIXINC Part #	BTS115ANKSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BTS115ANKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BTS115ANKSA1 Especificaciones

Número de parte:	BTS115ANKSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	TEMPFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	50 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	15.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	120mOhm @ 7.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	735 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	P-TO220AB
paquete / caja:	TO-220-3