UPA1809GR-9JG-E2-A | Rochester Electronics UPA1809GR-9JG-E2-A | UPA1809GR-9JG-E2-A Inventory, Best Pricing

UPA1809GR-9JG-E2-A

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Número de parte	UPA1809GR-9JG-E2-A
LIXINC Part #	UPA1809GR-9JG-E2-A
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8A 8TSSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	UPA1809GR-9JG-E2-A Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

UPA1809GR-9JG-E2-A Especificaciones

Número de parte:	UPA1809GR-9JG-E2-A
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	8A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	21mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	520 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-TSSOP
paquete / caja:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)