NP82N04NDG-S18-AY | Rochester Electronics NP82N04NDG-S18-AY | NP82N04NDG-S18-AY Inventory, Best Pricing

NP82N04NDG-S18-AY

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Número de parte	NP82N04NDG-S18-AY
LIXINC Part #	NP82N04NDG-S18-AY
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NP82N04NDG-S18-AY Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NP82N04NDG-S18-AY Especificaciones

Número de parte:	NP82N04NDG-S18-AY
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	82A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	9000 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	3-LDPAK
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA