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FDFS6N303

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Número de parte	FDFS6N303
LIXINC Part #	FDFS6N303
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDFS6N303 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDFS6N303 Especificaciones

Número de parte:	FDFS6N303
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	6A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	35mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	350 pF @ 15 V
característica fet:	Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máx.):	900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)