SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG | SCTH35N65G2V-7AG Inventory, Best Pricing

SCTH35N65G2V-7AG

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Número de parte	SCTH35N65G2V-7AG
LIXINC Part #	SCTH35N65G2V-7AG
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SCTH35N65G2V-7AG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 09 - Jul 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SCTH35N65G2V-7AG Especificaciones

Número de parte:	SCTH35N65G2V-7AG
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	45A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	18V, 20V
rds en (máx.) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx) @ id:	3.2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (máx.):	+22V, -10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1370 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	H2PAK-7
paquete / caja:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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