RZF013P01TL | ROHM Semiconductor RZF013P01TL | RZF013P01TL Inventory, Best Pricing

RZF013P01TL

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Número de parte	RZF013P01TL
LIXINC Part #	RZF013P01TL
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RZF013P01TL Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 19 - Sep 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RZF013P01TL Especificaciones

Número de parte:	RZF013P01TL
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	12 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	2.4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	290 pF @ 6 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TUMT3
paquete / caja:	3-SMD, Flat Lead