TSM650P03CX RFG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM650P03CX RFG | TSM650P03CX RFG Inventory, Best Pricing

TSM650P03CX RFG

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	TSM650P03CX RFG
LIXINC Part #	TSM650P03CX RFG
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TSM650P03CX RFG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TSM650P03CX RFG Especificaciones

Número de parte:	TSM650P03CX RFG
Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.1A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	65mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	900mV @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	810 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-23
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3