SSM3K36MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K36MFV,L3F

SSM3K36MFV,L3F

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Número de parte	SSM3K36MFV,L3F
LIXINC Part #	SSM3K36MFV,L3F
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM3K36MFV,L3F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 07 - Jul 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM3K36MFV,L3F Especificaciones

Número de parte:	SSM3K36MFV,L3F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIII
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	500mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	630mOhm @ 200mA, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	1.23 nC @ 4 V
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	46 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	VESM
paquete / caja:	SOT-723