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FQI27N25TU

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Número de parte	FQI27N25TU
LIXINC Part #	FQI27N25TU
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FQI27N25TU Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FQI27N25TU Especificaciones

Número de parte:	FQI27N25TU
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	QFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	250 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	25.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	110mOhm @ 12.75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2.45 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.13W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I2PAK (TO-262)
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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