STD4LN80K5

STD4LN80K5
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Número de parte STD4LN80K5
LIXINC Part # STD4LN80K5
Fabricante STMicroelectronics
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD STD4LN80K5 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STD4LN80K5 Especificaciones

Número de parte:STD4LN80K5
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:STMicroelectronics
serie:MDmesh™ K5
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):800 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:3A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:2.6Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:5V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:3.7 nC @ 10 V
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:122 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:DPAK
paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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