SI8466EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix SI8466EDB-T2-E1 | SI8466EDB-T2-E1 Inventory, Best Pricing

SI8466EDB-T2-E1

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Número de parte	SI8466EDB-T2-E1
LIXINC Part #	SI8466EDB-T2-E1
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SI8466EDB-T2-E1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SI8466EDB-T2-E1 Especificaciones

Número de parte:	SI8466EDB-T2-E1
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	8 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.6A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.2V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	43mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	700mV @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	13 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	710 pF @ 4 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	4-Microfoot
paquete / caja:	4-UFBGA, WLCSP