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IRF6711STRPBF

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Número de parte	IRF6711STRPBF
LIXINC Part #	IRF6711STRPBF
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF6711STRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF6711STRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRF6711STRPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	DirectFET™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	19A (Ta), 84A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.35V @ 25µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	20 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1810 pF @ 13 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DirectFET™ Isometric SQ
paquete / caja:	DirectFET™ Isometric SQ