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SCTWA35N65G2V

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Número de parte	SCTWA35N65G2V
LIXINC Part #	SCTWA35N65G2V
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SCTWA35N65G2V Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SCTWA35N65G2V Especificaciones

Número de parte:	SCTWA35N65G2V
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	45A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	18V, 20V
rds en (máx.) @ id, vgs:	72mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx) @ id:	3.2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (máx.):	+20V, -5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	73000 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247 Long Leads
paquete / caja:	TO-247-3

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