TJ20S04M3L,LXHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ20S04M3L,LXHQ

TJ20S04M3L,LXHQ

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Número de parte	TJ20S04M3L,LXHQ
LIXINC Part #	TJ20S04M3L,LXHQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TJ20S04M3L,LXHQ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TJ20S04M3L,LXHQ Especificaciones

Número de parte:	TJ20S04M3L,LXHQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVI
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	22.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vgs (máx.):	+10V, -20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1850 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK+
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63