TK13A50DA(STA4,Q,M

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Número de parte TK13A50DA(STA4,Q,M
LIXINC Part # TK13A50DA(STA4,Q,M
Fabricante Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD TK13A50DA(STA4,Q,M Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TK13A50DA(STA4,Q,M Especificaciones

Número de parte:TK13A50DA(STA4,Q,M
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:π-MOSVII
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:12.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:470mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:28 nC @ 10 V
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1550 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220SIS
paquete / caja:TO-220-3 Full Pack

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