BSP135H6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP135H6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP135H6327XTSA1

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Número de parte	BSP135H6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP135H6327XTSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSP135H6327XTSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSP135H6327XTSA1 Especificaciones

Número de parte:	BSP135H6327XTSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	120mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	0V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 94µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4.9 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	146 pF @ 25 V
característica fet:	Depletion Mode
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223-4
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA