Solo por referencia
Número de parte | AONS66612 |
LIXINC Part # | AONS66612 |
Fabricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | AONS66612 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Aug 14 - Aug 18 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | AONS66612 |
Marca: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
serie: | AlphaSGT™ |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 60 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 46A (Ta), 100A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 6V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 1.65mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 3.5V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 5300 pF @ 30 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 6.2W (Ta), 208W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | 8-DFN-EP (5x6) |
paquete / caja: | 8-PowerVDFN |
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En stock | 14948 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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