BSP89H6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP89H6327XTSA1 | BSP89H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP89H6327XTSA1

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Número de parte	BSP89H6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP89H6327XTSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSP89H6327XTSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSP89H6327XTSA1 Especificaciones

Número de parte:	BSP89H6327XTSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	240 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	350mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	6Ohm @ 350mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1.8V @ 108µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.4 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	140 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-SOT223-4
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA

FDMA86108LZ	MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET	4732 Más sobre el pedido
IPD15N06S2L64ATMA2	MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31	2288 Más sobre el pedido
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