RRH090P03TB1 | ROHM Semiconductor RRH090P03TB1 | RRH090P03TB1 Inventory, Best Pricing

RRH090P03TB1

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Número de parte	RRH090P03TB1
LIXINC Part #	RRH090P03TB1
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RRH090P03TB1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RRH090P03TB1 Especificaciones

Número de parte:	RRH090P03TB1
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	15.4mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	30 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3000 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	650mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOP
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)