SSM5H90ATU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM5H90ATU,LF

SSM5H90ATU,LF

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Número de parte	SSM5H90ATU,LF
LIXINC Part #	SSM5H90ATU,LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM5H90ATU,LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM5H90ATU,LF Especificaciones

Número de parte:	SSM5H90ATU,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.4A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4V
rds en (máx.) @ id, vgs:	65mOhm @ 1.5A, 4V
vgs(th) (máx) @ id:	1.2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	2.2 nC @ 4 V
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	200 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	UFV
paquete / caja:	5-SMD, Flat Leads