NTA4151PT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTA4151PT1G

NTA4151PT1G

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	NTA4151PT1G
LIXINC Part #	NTA4151PT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTA4151PT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTA4151PT1G Especificaciones

Número de parte:	NTA4151PT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	760mA (Tj)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.8V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	360mOhm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	450mV @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	2.1 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±6V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	156 pF @ 5 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	301mW (Tj)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SC-75, SOT-416
paquete / caja:	SC-75, SOT-416