ISP650P06NMXTSA1 | IR (Infineon Technologies) ISP650P06NMXTSA1 | ISP650P06NMXTSA1 Inventory, Best Pricing

ISP650P06NMXTSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	ISP650P06NMXTSA1
LIXINC Part #	ISP650P06NMXTSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	ISP650P06NMXTSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 11 - Sep 15 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

ISP650P06NMXTSA1 Especificaciones

Número de parte:	ISP650P06NMXTSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.7A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1.037mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1600 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-SOT223-4
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA