C3M0120065D | Wolfspeed - a Cree company C3M0120065D | C3M0120065D Inventory, Best Pricing

C3M0120065D

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	C3M0120065D
LIXINC Part #	C3M0120065D
Fabricante	Wolfspeed - a Cree company
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	650V 120M SIC MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	C3M0120065D Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 11 - Sep 15 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

C3M0120065D Especificaciones

Número de parte:	C3M0120065D
Marca:	Wolfspeed - a Cree company
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wolfspeed - a Cree company
serie:	C3M™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	22A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	157mOhm @ 6.76A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	3.6V @ 1.86mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	28 nC @ 15 V
vgs (máx.):	+19V, -8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	640 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	98W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3