2N7002E,215 | Rochester Electronics 2N7002E,215 | 2N7002E,215 Inventory, Best Pricing

2N7002E,215

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	2N7002E,215
LIXINC Part #	2N7002E,215
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2N7002E,215 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2N7002E,215 Especificaciones

Número de parte:	2N7002E,215
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	385mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	0.69 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	50 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-236AB
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3