2N6660 | Roving Networks / Microchip Technology 2N6660

2N6660

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Número de parte	2N6660
LIXINC Part #	2N6660
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2N6660 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2N6660 Especificaciones

Número de parte:	2N6660
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	410mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	50 pF @ 24 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-39
paquete / caja:	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can