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Número de parte | SISHA14DN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SISHA14DN-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | SISHA14DN-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | SISHA14DN-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® Gen IV |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 30 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 19.7A (Ta), 20A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 4.5V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 2.2V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 29 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | +20V, -16V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 1450 pF @ 15 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PowerPAK® 1212-8SH |
paquete / caja: | PowerPAK® 1212-8SH |
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En stock | 16762 - Más sobre el pedido |
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Tiempo de espera | Para ser confirmado |
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