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CSD23202W10

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Número de parte	CSD23202W10
LIXINC Part #	CSD23202W10
Fabricante	Texas Instruments
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CSD23202W10 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CSD23202W10 Especificaciones

Número de parte:	CSD23202W10
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	12 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	53mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	900mV @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	3.8 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	-6V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	512 pF @ 6 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	4-DSBGA (1x1)
paquete / caja:	4-UFBGA, DSBGA

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