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IRF2804STRRPBF

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Número de parte	IRF2804STRRPBF
LIXINC Part #	IRF2804STRRPBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF2804STRRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF2804STRRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRF2804STRRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	75A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	240 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6450 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXFT42N50P2	MOSFET N-CH 500V 42A TO268	850 Más sobre el pedido
BSC050N03LSGXT	BSC050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P	5954 Más sobre el pedido
DMP31D0U-7	MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23	918 Más sobre el pedido
SPB03N60C3ATMA1	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3	2868 Más sobre el pedido
NVMFS5C410NAFT1G	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN	914 Más sobre el pedido
DMN1016UCB6-7	MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6	5900 Más sobre el pedido
HUF76629D3ST	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P	73161 Más sobre el pedido
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