TK8P60W5,RVQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK8P60W5,RVQ

TK8P60W5,RVQ

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	TK8P60W5,RVQ
LIXINC Part #	TK8P60W5,RVQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK8P60W5,RVQ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK8P60W5,RVQ Especificaciones

Número de parte:	TK8P60W5,RVQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	8A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	560mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 400µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	590 pF @ 300 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63