TK200F04N1L,LXGQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK200F04N1L,LXGQ

TK200F04N1L,LXGQ

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Número de parte	TK200F04N1L,LXGQ
LIXINC Part #	TK200F04N1L,LXGQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK200F04N1L,LXGQ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK200F04N1L,LXGQ Especificaciones

Número de parte:	TK200F04N1L,LXGQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	200A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	0.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	214 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	14920 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220SM(W)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

CSD16404Q5A	MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON	3350 Más sobre el pedido
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