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NDPL180N10BG

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Número de parte	NDPL180N10BG
LIXINC Part #	NDPL180N10BG
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NDPL180N10BG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NDPL180N10BG Especificaciones

Número de parte:	NDPL180N10BG
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	180A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V, 15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3mOhm @ 15V, 50A
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	95 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6.95 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.1W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-3
paquete / caja:	TO-220-3