NVB150N65S3F | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVB150N65S3F

NVB150N65S3F

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Número de parte	NVB150N65S3F
LIXINC Part #	NVB150N65S3F
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NVB150N65S3F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 27 - Oct 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NVB150N65S3F Especificaciones

Número de parte:	NVB150N65S3F
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	SuperFET® III
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	24A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 540µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	43 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1999 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	192W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK-3 (TO-263)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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