IXTA2R4N120P | Wickmann / Littelfuse IXTA2R4N120P | IXTA2R4N120P Inventory, Best Pricing

IXTA2R4N120P

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Número de parte	IXTA2R4N120P
LIXINC Part #	IXTA2R4N120P
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXTA2R4N120P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXTA2R4N120P Especificaciones

Número de parte:	IXTA2R4N120P
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	Polar™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1207 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263 (IXTA)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB